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输出饱和压降VCE(sat):发光二管工作电流IF和集电电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电与发射之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二管开路,集电至发射间的电压为规定值时,流过集电的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。
基于晶闸管的光耦合器SCR代表可控硅整流器,SCR也称为晶闸管。与其他光耦合器一样,LED发射红外线。可控硅由LED的强度控制。基于光电可控硅的光电耦合器,用于交流相关电路。基于光SCR的光耦合器的几个例子是:-MOC3071、IL400、MOC3072等。如果你需要使用带有微控制器的命令来驱动高压电机,那么光耦合器将为开关系统提供电机和微控制器输出之间的电气隔离连接。光耦合器还用作具有比保险丝更的功能的保险丝。在电路中,光耦合器用于使用数字信号或使用低的电压来切换系统,但如果出现电压尖峰或出现浪涌电流,则整个输出电路将不受影响,因为光耦合器仅损坏并停止将当前传递到下一部分。
由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦合器的外壳是密封的,它不受外部光的影响;光电耦合器的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
光电压模式下的电流检测电路设计工作在光电压模式下的检测电流电路如图3所示,信号为正性输入,正性输出。R1.R2.R3.C1的作用与在光电导模式下的作用基本相同。放大器A1调节电流If。当输入电压Vin增加时,I1增加,同时放大器A1“+”输入端电压增加,促使电流If增加。由于D1与D2之间的联系,I1就会把“+”输入端电压重新拉回0V,形成负反溃如果放大器A1的输入电流很小,那么流经R1的电流就为Vin/R1=I1。显而易见,I1与Vin之间是线性比例关系。I1稳定线性变化,If也稳定线性变化。
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