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常德长爬电距离光耦厂家
输出饱和压降VCE(sat):发光二管工作电流IF和集电电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电与发射之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二管开路,集电至发射间的电压为规定值时,流过集电的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。
用数字万用表的二管丈量档,红表笔接光耦的“1”脚,黑表笔接光耦的“2”脚(即便光耦的发光二管正导游通)此刻万用表显现大约是0.981V,红表笔接光耦的“3”脚,黑表笔接光耦的“4”脚,此刻万用表显现大约是0.700V,明光耦是好的。耦以光信号为前言来完成电信号的耦合与传递,输入与输出在电气上彻底阻隔,具有抗搅扰功能强的特点。关于既包含弱电操控部分,又包含强电操控部分的工业运用测控体系,选用光耦阻隔能够很好地完成弱电和强电的阻隔,到达抗搅扰意图。可是,运用光耦阻隔需求考虑以下几个问题:
由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦合器的外壳是密封的,它不受外部光的影响;光电耦合器的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
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