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此外,在使用基于光电晶体管的光耦合器之前,知道晶体管的大额定值。是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。光达林顿晶体管光耦合器有两种类型的符号,显示了基于光达林顿晶体管的光耦合器的内部结构。达林顿晶体管是两个晶体管对,其中一个晶体管控制另一个晶体管基。在这种配置中,达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样,LED发出红外LED并控制对晶体管的基。这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。引脚在内部连接到晶体管的基,用于控制晶体管的灵敏度。是少数基于光达林顿的光耦合器示例。
高一般光耦的开关速度。因为光耦本身存在的分布电容,对传输速度形成影响,光敏三管内部存在着分布电容Cbe和Cce。因为光耦的电流传输比较低,其集电负载电阻不能太小,不然输出电压的摆幅就受到了约束。可是,负载电阻又不宜过大,负载电阻RL越大,因为分布电容的存在,光电耦合器的频率特性就越差,传输延时也越长。用2只光电耦合器T1,T2接成互补推挽式电路,能够进步光耦的开关速度。当脉冲上升为“1”电平常,T1截止,T2导通。相反,当脉冲为“0”电平常,T1导通,T2截止。这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。
针对光偶选型,替代,采购,检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题,提供指导。光耦属于易失效器件,选型和使用过程中要特别的小心。目前发现,因光偶的选型,光偶替代,光偶工作电流,工作温度设计不当等原因导致产品出现问题,如何减少选型,设计,替代导致的产品问题,这里将制订出相关指导性规范。
光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
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