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广东继电器光耦公司有哪些
关于沟通负载,能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划,例如TLP541G,4N39。光电可控硅驱动器,特是耐压高,驱动电流不大,当沟通负载电流较小时,能够直接用它来驱动。当负载电流较大时,能够外接功率双向可控硅。其间,R1为限流电阻,用于约束光电可控硅的电流;R2为耦合电阻,其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时,能够选用光电双向可控硅驱动器,例如MOC3010。
根据输出形式分类光敏器件输出,包括光电二管、光阻器、光电池、光学晶闸管等。NPN三管输出,包括交流输入、直流输入、互补输出等。达林顿三管输出,包括交流输入、直流输入。逻辑门输出,包括栅输出、施密特触发输出、三态栅输出等。低导通输出(低电平输出)光开关输出(Ron<10Ω)功率输出(IGBT/MOSFET光耦继电器内部结构光电耦合的主要特点如下:输入输出端子之间的缘电阻一般大于10000MΩ,电压电阻一般可以超过1kV,有的甚至可以达到10kV。
针对光偶选型,替代,采购,检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题,提供指导。光耦属于易失效器件,选型和使用过程中要特别的小心。目前发现,因光偶的选型,光偶替代,光偶工作电流,工作温度设计不当等原因导致产品出现问题,如何减少选型,设计,替代导致的产品问题,这里将制订出相关指导性规范。
假设确定Vcc=5V,输入在0-4V之间,输出等于输入,采用LMV321运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右;确定R3:R3=5V/25mA=200;确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中,常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量,如果模拟量与数字量之间没有电气隔离,那么,高电压。强电流很容易串入低压器件,并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离,隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化,线性度达0.01%。
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