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关于沟通负载,能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划,例如TLP541G,4N39。光电可控硅驱动器,特是耐压高,驱动电流不大,当沟通负载电流较小时,能够直接用它来驱动。当负载电流较大时,能够外接功率双向可控硅。其间,R1为限流电阻,用于约束光电可控硅的电流;R2为耦合电阻,其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时,能够选用光电双向可控硅驱动器,例如MOC3010。
光耦直接用于阻隔传输模拟量时,要考虑光耦的非线性问题;光耦阻隔传输数字量时,要考虑光耦的呼应速度问题;假如输出有功率要求的话,还得考虑光耦的功率接口规划问题。光电耦合器非线性的战胜光电耦合器的输入端是发光二管,因此,它的输入特性可用发光二管的伏安特性来标明;输出端是光敏三管,因此光敏三管的伏安特性便是它的输出特性。由此可见,光电耦合器存在着非线性作业区域,直接用来传输模拟量时精度较运用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器,T1和T2,以及2个射跟从器A1和A2组成。假如T1和T2是同类型同批次的光电耦合器,能够以为他们的非线性传输特性是彻底一致的,即K1(I1)=K2(I1),则扩大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。由此可见,运用T1和T2电流传输特性的对称性,运用反应原理,能够很好的补偿他们本来的非线性。
根本作业特性(以光敏三管为例)共模按捺比很高在光电耦合器内部,因为发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压经过间耦合电容对输出电流的影响很小,因此共模按捺比很高。光电耦合器的输出特性是指在必定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的联系,当IF=0时,发光二管不发光,此刻的光敏晶体管集电输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在必定的IF效果下,所对应的IC根本上与VCE无关。IC与IF之间的改变成线性联系,用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与一般晶体三管输出特性类似。其测验连线如图2,图中D、C、E三根线别离对应B、C、E,接在仪器插座上。
线性光电耦合器由发光二极管和光敏三极管组成,当发光二极管接通而发光,光敏三级管导通,光电耦合器是电流驱动型,需要足够大的电流才能使发光二极管导通,如果输入信号太小,发光二极管不会导通,其输出信号将失真。在开关电源,尤其是数字开关电源中。
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