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与种接法不同的是,该接法中光耦的第4脚直接接到芯片的误差放大器输出端,而芯片内部的电压误差放大器接成同相端电位高于反相端电位的形式,利用运放的一种特性——当运放输出电流过大(超过运放电流输出能力)时,运放的输出电压值将下降,输出电流越大,输出电压下降越多。因此,采用这种接法的电路,一定要把PWM芯片的误差放大器的两个输入引脚接到固定电位上,且是同向端电位高于反向端电位,使误差放大器初始输出电压为高。
光电二管与光电晶体管光耦合器光晶体管光电耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中,内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP,也可以是。根据输出引脚的可用性,光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中,有一个额外的引脚输出,在内部与晶体管的基相连。用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负连接。在这种配置中,可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。
光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于开关信号的传输,不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。
关于沟通负载,能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划,例如TLP541G,4N39。光电可控硅驱动器,特是耐压高,驱动电流不大,当沟通负载电流较小时,能够直接用它来驱动。当负载电流较大时,能够外接功率双向可控硅。其间,R1为限流电阻,用于约束光电可控硅的电流;R2为耦合电阻,其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时,能够选用光电双向可控硅驱动器,例如MOC3010。
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