扬州可控硅光耦公司有哪些

　　扬州可控硅光耦公司有哪些

　　根本作业特性（以光敏三管为例）共模按捺比很高在光电耦合器内部，因为发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压经过间耦合电容对输出电流的影响很小，因此共模按捺比很高。光电耦合器的输出特性是指在必定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的联系，当IF=0时，发光二管不发光，此刻的光敏晶体管集电输出电流称为暗电流，一般很小。当IF>0时，在必定的IF效果下，所对应的IC根本上与VCE无关。IC与IF之间的改变成线性联系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与一般晶体三管输出特性类似。其测验连线如图2，图中D、C、E三根线别离对应B、C、E，接在仪器插座上。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。

　　另一方面，晶体管是由内部红外LED控制的光电晶体管，当LED发出红外光时，光电晶体管将接触，VOUT将为0，关闭连接在其上的负载。根据数据表，晶体管的集电电流为50mA，R2提供VOUT5v，R2是一个上拉电阻。在这种配置中，基于光电晶体管的光耦合器可以与微控制器一起用于检测脉冲或中断。用于检测交流电压的光耦合器这里显示了另一个电路来检测交流电压。红外线LED使用两个100k电阻控制，使用两个100k电阻代替一个200k电阻是为了在短路相关条件下提供额外的性。LED连接在墙上插座线(L)和中性线(N)上。当按下S1时，LED开始发射红外线。光电晶体管做出响应并将VOUT从5V转换为0V。