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此外,在使用基于光电晶体管的光耦合器之前,知道晶体管的大额定值。是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。光达林顿晶体管光耦合器有两种类型的符号,显示了基于光达林顿晶体管的光耦合器的内部结构。达林顿晶体管是两个晶体管对,其中一个晶体管控制另一个晶体管基。在这种配置中,达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样,LED发出红外LED并控制对晶体管的基。这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。引脚在内部连接到晶体管的基,用于控制晶体管的灵敏度。是少数基于光达林顿的光耦合器示例。
正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时,正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路,集电电流IC为规定值,集电与发射集间的电压降。
由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦合器的外壳是密封的,它不受外部光的影响;光电耦合器的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
当拉长加热的光纤时,纤芯直径会减少,因为有(其中,2a=d是光纤的纤芯直径,λ是工作波长,n和Δ分别是平均折射率和相对折射率),则V值变小。而V值越小,模场直径(MFD)超过光纤纤芯直径就越多。因此,纤芯直径减小使一个光模式的很多部分在包层中被耦合到其他光纤的纤芯中去了。随输入模式的模场直径在下行渐细区变得越来越大,耦合过程逐渐发生。在耦合区内,由于两个纤芯靠得常接近,则光模从一个纤芯耦合到另一个纤芯,在上行渐细区光纤直径增大,光模式越来越多地被限制在纤芯内,两个分离的模式从两根分开的光纤输出。
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