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另一方面,晶体管是由内部红外LED控制的光电晶体管,当LED发出红外光时,光电晶体管将接触,VOUT将为0,关闭连接在其上的负载。根据数据表,晶体管的集电电流为50mA,R2提供VOUT5v,R2是一个上拉电阻。在这种配置中,基于光电晶体管的光耦合器可以与微控制器一起用于检测脉冲或中断。用于检测交流电压的光耦合器这里显示了另一个电路来检测交流电压。红外线LED使用两个100k电阻控制,使用两个100k电阻代替一个200k电阻是为了在短路相关条件下提供额外的性。LED连接在墙上插座线(L)和中性线(N)上。当按下S1时,LED开始发射红外线。光电晶体管做出响应并将VOUT从5V转换为0V。
入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压(BR)CEO-55~150-55~125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V,IFP=10mA,RL=360Ωf=10kHz,D:1/2VCC=5V,IF=10mA,RL=200Ω集-发饱和电压VCE(sat)VCC=5V,IF=10mA,RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V,IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成,光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中,有两个参数需要格外注意,一个是反向电压Vr,是指原边发光二管所能承受的大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED。而一般光耦中,这个参数只有5V左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要注意不要超过反向电压。
针对光偶选型,替代,采购,检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题,提供指导。光耦属于易失效器件,选型和使用过程中要特别的小心。目前发现,因光偶的选型,光偶替代,光偶工作电流,工作温度设计不当等原因导致产品出现问题,如何减少选型,设计,替代导致的产品问题,这里将制订出相关指导性规范。
在这种模式下,LED会得到一个变化的信号脉冲。LED光线通过电压或信号样本来改变或控制,然后光电晶体管还为输出提供可变传导。用于开关模式电源(SMPS)或控制需要在输出端进行错误检测的不同电路。光电二管光电耦合器在电流和光之间的线性关系上优于光电晶体管光电耦合器。尽管光电晶体管光耦合器可以通过改变进入光电晶体管基的LED光束来传递宽频率的模拟音频信号。当光束到达其基时,晶体管的输出会发生变化以放大。但在高频处可能会出现一些失真。
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