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电容器的基本作用就是充电与放电,但由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象,使得电容器有着种种不同的用途,例如:在电动马达中,用它来产生相移;在照相闪光灯中,用它来产生高能量的瞬间放电等等。而在电子电路中,电容器不同性质的用途尤多,这许多不同的用途,虽然也有截然不同之处,但因其作用均来自充电与放电。下面是一些电容的作用列表:耦合电容:用在耦合电路中的电容称为耦合电容,在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路,起隔直流通交流作用。
光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似,都对电流有放大的作用,不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,它还要受光辐射的控制。
合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此,能制作开关二和低压大电流整流二管。
外加反向电压不超过一定范围时,通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数截流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。二管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二管(Ge管)和硅二管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定,多用于开关、脉冲及高频电路中。
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