连云港贴片光敏二极管代理

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　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

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　　w=0.5cuu一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即:C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即:C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容板的正对面积，d为电容板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为板间介质的介电常数，S为板面积，d为板间的距离）。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正和负两个端子。整流二管一般为平面型硅二管，用于各种电源整流电路中。选用整流二管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。