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与双型晶体管相比,场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏电流);场效应管的控制输入端电流小,因此它的输入电阻(Ω)很大。它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;它组成的放大电路的电压放大系数要小于三管组成放大电路的电压放大系数;场效应管的抗辐射能力强;由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
对于场效应管来说,在大学期间老师基本没有讲,让自己自学。到了工作的时候,我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中,甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
对于电阻,想必大家都觉得简单,没有什么好说的。其实电阻的应该还是广泛的,在不同的应用场合其作用是不同的。本人将总结其基本用法,及容易被忽略的地方。电阻(Resistance,通常用“R”表示),在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种特性。电阻将会导致电子流通量的变化,电阻越小,电子流通量越大,反之亦然。而超导体则没有电阻。
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