绍兴贴片光敏二极管公司

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　　如果表针在左端不动，则管子内部已经断路硅管:表针在左端基本不动，靠近OO位置，锗管:表针从左端起动一点，但不应超过满刻度的1/4，则表明反向特性是好的，如果表针指在0位，则管子内部已短路普通发光二管的检测用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二管的好坏。正常时，二管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为，反向电阻值很小或为0，则易损坏。这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。如果有两块指针万用表（好同型号）可以较好地检查发光二管的发光情况。

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　　半导体二管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二管分类如下:点接触型二管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。

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　　电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。电容的符号是C。C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U在单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是:1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）。电容与电池容量的关系:1伏安时=1瓦时=3600焦耳

　　光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。