无锡可控硅光耦公司

　　无锡可控硅光耦公司

　　光电二管与光电晶体管光耦合器光晶体管光电耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中，内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP，也可以是。根据输出引脚的可用性，光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中，有一个额外的引脚输出，在内部与晶体管的基相连。用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负连接。在这种配置中，可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。

　　关于沟通负载，能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划，例如TLP541G，4N39。光电可控硅驱动器，特是耐压高，驱动电流不大，当沟通负载电流较小时，能够直接用它来驱动。当负载电流较大时，能够外接功率双向可控硅。其间，R1为限流电阻，用于约束光电可控硅的电流；R2为耦合电阻，其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时，能够选用光电双向可控硅驱动器，例如MOC3010。

　　针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。光耦属于易失效器件，选型和使用过程中要特别的小心。目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。

　　光纤从光源接收的大功率为则面发光LED与光纤的耦合效率为即耦合效率为数值孔径的平方。设数值孔径取NA＝0.13，则耦合效率只有η≈2%，的低。对于边发光LED和LD，它们的发散角比面发光LED要小，设其垂直和平行与结平面的发散角分别为θ⊥和θ∥，则它们与光线的直接耦合效率可按（式5.6）估算设条形LD的θ⊥＝45°，θ∥＝8°，NA＝0.15，则计算出耦合效率η≈14%。可见，即使是发散角比较小的LD，其耦合效率也只有大约14%。光源发出的80%以上的功率都损耗掉了。