淄博可控硅光耦供应商

　　淄博可控硅光耦供应商

　　耦合器主要有如下优点:低的附加损耗。光从纤芯模式转换到耦合模式，然后再转换回纤芯模式在理论上是无损耗的。又因为光在耦合过程中从未离开光纤结构，所以它从未遇到界面，因此无回射。对于X型和Y型耦合器，附加损耗小于0.05dB。由于FBD耦合器是由常规光纤制作的，连接一个FBD耦合器到传输光纤是容易而且是低损耗的。方向性好，一般达到60dB，了传输光信号的定向性，减小了线路之间的串扰。良好的环境稳定性，光路结构简单紧凑，在-40～85℃温度范围内耦合器可以稳定工作。制作成本低，适合批量生产。描述光耦合器特性的一些技术参数插入损耗（InsertionLoss）式中，以ILi为第i个输出端口的插入损耗；Pouti为第i个输出端口的光功率；Pin为输入的光功率。附加损耗（ExcessLoss）对于光耦合器，附加损耗是体现器件制造工艺质量的，反映的是器件制作过程带来的附加固有损耗。插入损耗是各输出端口的状况，不仅与固有损耗有关，而且与分光比有很大的关系。插入损耗并不能反映器件制作质量，这一点值得注意。

　　光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

　　根据输出形式分类光敏器件输出，包括光电二管、光阻器、光电池、光学晶闸管等。NPN三管输出，包括交流输入、直流输入、互补输出等。达林顿三管输出，包括交流输入、直流输入。逻辑门输出，包括栅输出、施密特触发输出、三态栅输出等。低导通输出（低电平输出）光开关输出（Ron<10Ω）功率输出（IGBT/MOSFET光耦继电器内部结构光电耦合的主要特点如下:输入输出端子之间的缘电阻一般大于10000MΩ，电压电阻一般可以超过1kV，有的甚至可以达到10kV。

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。