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在原理图中,使用了基于低成本光电晶体管的光电耦合器PC817。红外线LED将由S1开关控制。当开关打开时,9V电池电源将通过限流电阻10k为LED提供电流。强度由R1电阻控制。如果我们改变值并降低电阻,LED的强度会很高,使晶体管增益很高。另一方面,晶体管是由内部红外LED控制的光电晶体管,当LED发出红外光时,光电晶体管将接触,VOUT将为0,关闭连接在其上的负载。根据数据表,晶体管的集电电流为50mA,R2提供VOUT5v,R2是一个上拉电阻。
电流传输比是光耦合器的一个重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持不变时,该比率等于直流输出电流IC和直流输入电流IF的百分比。大多数光耦合器使用光阻器,其CTR范围为20%至300%(例如4N35),PC817为80%至160%)。达林顿光耦合器(如4N30)可以达到100%~5000%。这表明,对于相同的输出电流,后者只需要更小的输入电流。因此,晶体管的hFE参数与CTR参数之间存在一些相似之处。得到线性光耦合器和普通光耦合器的典型CTR-IF特性曲线。
针对光偶选型,替代,采购,检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题,提供指导。光耦属于易失效器件,选型和使用过程中要特别的小心。目前发现,因光偶的选型,光偶替代,光偶工作电流,工作温度设计不当等原因导致产品出现问题,如何减少选型,设计,替代导致的产品问题,这里将制订出相关指导性规范。
电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的大工作电流已知的情况下,又确定了这样,由于Vo的范围小可以为0.考虑到大有利于能量的传输,这样,一般取另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑IPD1的限制,R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要方法,只需将R2=R1即可。另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在R2处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。
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