池州长爬电距离光耦批发

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　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。

　　光纤从光源接收的大功率为则面发光LED与光纤的耦合效率为即耦合效率为数值孔径的平方。设数值孔径取NA＝0.13，则耦合效率只有η≈2%，的低。对于边发光LED和LD，它们的发散角比面发光LED要小，设其垂直和平行与结平面的发散角分别为θ⊥和θ∥，则它们与光线的直接耦合效率可按（式5.6）估算设条形LD的θ⊥＝45°，θ∥＝8°，NA＝0.15，则计算出耦合效率η≈14%。可见，即使是发散角比较小的LD，其耦合效率也只有大约14%。光源发出的80%以上的功率都损耗掉了。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线是非线性的，当IF很小时，非线性失真严重，因此不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，是在信号较小时，交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF）接近直流电流传输比（CTR）。因此，它适用于传输模拟电压或电流信号，可以使输出与输入呈线性关系。这是它的重要特征。使用光耦合器的主要目的是在输入电路和输出电路之间提供隔离。在设计电路时，遵循以下原则:所选的光耦合器符合国内和隔离击穿电压标准。英国Isocoman公司和美国摩托罗拉生产的4N系列光耦合器（如4N25，4N26，4N35）在中国得到广泛应用。鉴于这种光耦合器的开关特性，其线性度较差，适用于传输数字信号（高电平和低电平），可用于单芯片的输出隔离。所使用的光耦合器器件具有高耦合系数。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。