武汉长爬电距离光耦生产厂家

　　武汉长爬电距离光耦生产厂家

　　光电压模式下的电流检测电路设计工作在光电压模式下的检测电流电路如图3所示，信号为正性输入，正性输出。R1.R2.R3.C1的作用与在光电导模式下的作用基本相同。放大器A1调节电流If。当输入电压Vin增加时，I1增加，同时放大器A1“＋”输入端电压增加，促使电流If增加。由于D1与D2之间的联系，I1就会把“＋”输入端电压重新拉回0V,形成负反溃如果放大器A1的输入电流很小，那么流经R1的电流就为Vin/R1=I1。显而易见，I1与Vin之间是线性比例关系。I1稳定线性变化，If也稳定线性变化。

　　光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

　　根据输出形式分类光敏器件输出，包括光电二管、光阻器、光电池、光学晶闸管等。NPN三管输出，包括交流输入、直流输入、互补输出等。达林顿三管输出，包括交流输入、直流输入。逻辑门输出，包括栅输出、施密特触发输出、三态栅输出等。低导通输出（低电平输出）光开关输出（Ron<10Ω）功率输出（IGBT/MOSFET光耦继电器内部结构光电耦合的主要特点如下:输入输出端子之间的缘电阻一般大于10000MΩ，电压电阻一般可以超过1kV，有的甚至可以达到10kV。

　　尽管光电二管的输出信号幅度远小于光电晶体管提供的输出，但光电二管光耦的输入光和输出电流关系在大多数音频和一些数字信号中都很好。光电二管与光电晶体管光耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中，内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP，也可以是NPN。根据输出引脚的可用性，光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中，有一个额外的引脚输出，在内部与晶体管的基相连。