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管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下,允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时,在两间所产生的电压降。大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流
二管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二管叫开关二管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。开关二管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF500毫安的硅开关二管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,引脚较长的一端为正。硅开关二管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装?稳压二管稳压二管是由硅材料制成的面结合型晶体二管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二管(简称稳压管)其图形符号
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱(一般小于0.1微安),叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十到上百微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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