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光电二管与光电晶体管光耦合器光晶体管光电耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中,内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP,也可以是。根据输出引脚的可用性,光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中,有一个额外的引脚输出,在内部与晶体管的基相连。用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负连接。在这种配置中,可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。
分光比(CouplingRation)它是光耦合器的技术。方向性(Directivity)方向性是光耦合器的技术,是衡量器件定向传输特性的参数。为例,由2端输出的光功率PIN2(out)与注入的光功率PIN1之比即为方向性参数,为均匀性(Uniformity)均匀性用来衡量光耦合器的不均匀程度:隔离度(Isolation)式中,Pouti为在第i个光输出端测到的其他输出光功率;Pini为输入光功率。
根据输出形式分类光敏器件输出,包括光电二管、光阻器、光电池、光学晶闸管等。NPN三管输出,包括交流输入、直流输入、互补输出等。达林顿三管输出,包括交流输入、直流输入。逻辑门输出,包括栅输出、施密特触发输出、三态栅输出等。低导通输出(低电平输出)光开关输出(Ron<10Ω)功率输出(IGBT/MOSFET光耦继电器内部结构光电耦合的主要特点如下:输入输出端子之间的缘电阻一般大于10000MΩ,电压电阻一般可以超过1kV,有的甚至可以达到10kV。
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