漯河光耦厂家

　　漯河光耦厂家

　　输出饱和压降VCE(sat):发光二管工作电流IF和集电电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电与发射之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二管开路，集电至发射间的电压为规定值时，流过集电的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下，发光二管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

　　设输入端电压为Vin，输出端电压为Vout，光耦的两个电流传递系数分别为K1、K2，显然，，和之间的关系取决于和之间的关系。将前级运放的电路提出来看，如下图所示:设运放负端的电压为，运放输出端的电压为，在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系:Vo=Voo-GVi(1)其中是在运放输入差模为0时的输出电压，G为运放的增益，一般比较大。忽略运放负端的输入电流，可以认为通过R1的电流为IP1，根据R1的欧姆定律得:

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。